北京汉达森 郭浪

低杂散电感快速放电开关。固定导通时间，ton = 150ns。6 kV，160 A，tr <4ns @Ip(max)。PCB 的插针插座包含在交货中。

 

Behlke HTS 80-16

低杂散电感快速放电开关。固定导通时间，ton = 150ns。8 kV，160 A，tr <5ns @Ip(max)。PCB 的插针插座包含在交货中。

 

Behlke HTS 80-26

低杂散电感快速放电开关。固定导通时间，ton = 180ns。8 kV，260 A，tr <5ns 

 

Behlke HTS 181-01-C

MOSFET 开关，紧凑系列。可变导通时间从 50 ns 到无限。18 kV，12 A，上升时间 < 15 ns。尺寸 79 x 38 x 25 毫米。选择。推荐使用 PT-HV（HV 尾纤）。

 

Behlke HTS 151-0 2

MOSFET 开关，带选项 FC（扁平外壳）和标准连接器。可变导通时间从 50 ns 到无限。15 kVDC，25 A pk，上升时间 < 8 ns。导通电阻 < 30 Ohm。

 

Behlke HTS 331-06

通用 MOSFET 开关，带选项 CF（散热片）、C-DR（驱动器冷却）和 HFS（高频开关）。33 kVDC，60 A。导通电阻 < 33 欧姆。 

 

Behlke HTS 61-40

具有高 di/dt 的 MOSFET 开关。可变导通时间从 300 ns 到无限。6 kVDC，400 安培。上升时间 < 10 ns @Ip(max) 

 

Behlke HTS 101-20

具有高 di/dt 的 MOSFET 开关。可变导通时间从 300 ns 到无限。10 kVDC，200 安培。上升时间 < 12 ns @Ip(max) 

 

Behlke HTS 311-130-B

采用沟槽 FET 技术的具有高 di/dt 的 MOSFET 开关。可变导通时间 300 ns - ∞。31 kVDC，1300 安培。上升时间 < 20 ns @Ip(max)。独立的控制单元。